车规级全系列 SiC MOSFET

针对新能源汽车主驱逆变器对高功率密度与系统效率的极致追求，三安推出650V-2000V/12mΩ-1000mΩ全系列SiC MOSFET。产品具备简易驱动电压、低导通电阻、高阻断能力，已通过国内头部车企主驱验证并导入海外Tier 1。光伏储能领域与阳光电源、固德威等深度合作，持续批量交付。

公司车规级SiC MOSFET已在主驱逆变器领域通过国内头部电动车企客户验证，并同步导入多家海外Tier 1客户；光伏储能领域与阳光电源、固德威、锦浪等头部客户保持深度合作，持续稳定批量交付。

光伏储能 车载充电机（OBC） 充电桩 新能源电驱动系统（主驱逆变器） AI数据中心服务器电源 低空经济（飞行器电源） 白色家电

三安半导体低电阻碳化硅衬底

破解碳化硅衬底“低电阻与高缺陷”难以兼得的行业痛点，三安将平均电阻率降至11mΩ·cm（传统20mΩ·cm），层错缺陷≤2%。650V SBD芯片尺寸缩小11%、产出提升12%，1000小时零失效验证。赋能主驱效率提升2-4%、OBC快充、DCDC效率突破98.5%、电动压缩机系统效率提升5?10%。

该低阻衬底已通过1000小时可靠性测试，实现零失效，并具备量产能力，可随时按需供货。

赋能汽车动力核心系统： 主驱逆变器、车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电动压缩机

650V-2000V 全电压电流梯度 SiC SBD

应对光伏储能、服务器电源等场景对低损耗、高浪涌、高可靠的需求，三安已完成650V-2000V/1A-100A全梯度SiC SBD布局，累计出货超4亿颗。采用MPS结构，具有零反向恢复电流、更低正向压降、超快开关速度，支持AEC-Q101。在光伏、OBC、充电桩等领域向头部客户稳定批量交付。

公司SiC SBD在光伏储能、服务器电源、车载充电机、充电桩及白色家电等领域已实现大规模量产，并持续向行业头部客户稳定交付。

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